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下一代同步整流控制技术增强电源运行参数
2017-06-23 17:13:58  作者:  来源:网络
  •   在当今的高性能的电源系统设计中,确保可靠性至关重要,因此高效的功能必须可以处理潜在的问题。同步整流电流反向就是这样一个问题。这发生在电容电流(寄生效应引起的)导致MOSFET在轻负载的情况下被过早激活时–然后反向电流从输出电容流回同步整流器。这不仅导致系统能效受到严重影响,还可能会导致运行故障。

  在当今的高性能的电源系统设计中,确保可靠性至关重要,因此高效的功能必须可以处理潜在的问题。同步整流电流反向就是这样一个问题。这发生在电容电流(寄生效应引起的)导致MOSFET在轻负载的情况下被过早激活时–然后反向电流从输出电容流回同步整流器。这不仅导致系统能效受到严重影响,还可能会导致运行故障。

  为了防止这种情况的发生,必须在系统处于轻载条件时采取措施增加延迟。自适应死区时间控制机制可以弥补寄生电感的存在,从而减轻体二极管导通的不良影响。通过这种方法,可以调整同步整流器关断点,以保持一个恒定的死区时间,而不受当时输出负载的影响。从而持续保持高能效和对相应的热管理规定更少的要求(由于散热的减少)。

  得益于专有的自适应死区时间控制算法,安森美半导体的FAN6248双MOSFET驱动器控制器IC,能够充分解决上述挑战。同时,它可以帮助工程师最大化电源能效,并使系统尽可能紧凑、简单和具性价比。

  该器件优化用于现代LLC谐振转换器拓扑结构,最大限度地减少同步整流MOSFET的体二极管传导。它通过使用一个独特的控制方法,消除了电流反向的隐患,还可以避免同步整流误触发。通过两个感测输入,可以准确地确定MOSFET两端的漏源电压,从而考虑到关于次级绕组的任何不对称或不良耦合。如果经证实死区时间太长,那么偏置电压相应降低。从而提高MOSFET的电压阈值,继而使同步整流器的导通时间延长(因此缩短相关的死区时间)。反之,如果死区时间太短,则降低MOSFET的电压阈值,从而抑制同步整流器的导通期。指定FAN6248控制器能够提高系统的电源能效,和实现在整个负载范围内的稳定运行(无电流反向的风险)。

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